相变化内存
更新时间：2024-11-13 05:42:37
相变化内存的词语属性
拼音xiāng biàn huà nèi cún
拼音字母xiang bian hua nei cun
拼音首字母xbhnc
相变化内存的百科含义
相变化内存（Phase-change memory，Ovonic Unified Memory，Chalcogenide RAM，简称PCM, PRAM, PCRAM, CRAM），又译为相变位内存，是一种非易失性存储器装置。PRAM 使用含一种或多种硫族化物的玻璃（Chalcogenide glass）制成，主流为GeSbTe系合金。硫属玻璃的特性是，经由加热可以改变它的状态，成为晶体（Crystalline）或非晶体（Amorphous）。这些不同状态具有相应的电阻值。因此 PRAM 可以用来存储不同的数值。 它是未来可能取代快闪存储器的技术之一。