位错芯
更新时间：2024-11-13 07:30:16
位错芯的词语属性
拼音wèi cuò xīn
拼音字母wei cuo xin
拼音首字母wcx
位错芯的百科含义
位错芯是研究晶格常数不匹配的异质结SiGe/Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响，使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错，和导致30°部分位错运动的弯结结构，以及位错芯重构缺陷（RD）与弯结组合而生成的弯结－RD结构。
位错芯是研究晶格常数不匹配的异质结SiGe/Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响，使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错，和导致30°部分位错运动的弯结结构，以及位错芯重构缺陷（RD）与弯结组合而生成的弯结－RD结构。